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广东这项工作为二维vdW铁磁体的非易失性电控制和CrI3在半金属基纳米电子器件中的应用铺平了道路。图三、起步铁磁半导体到半金属转变的内在机制（a）S↑ CrI3，起步S↓ CrI3，P↑ Sc2CO2和P↓ Sc2CO2相对于真空能级Evac的带边以及半导体到半金属转变的内在机制示意图。

自石墨烯发现以来，电力原子厚度的范德华（vdW）材料一直处于材料研究的前沿。图五、现货行日可能的应用：原子厚CrI3/Sc2CO2多铁存储器（a，b）原子厚CrI3/Sc2CO2多铁存储器模型。这项工作不仅提供了将二维铁磁体调制成半金属的有效方法（异质界面工程），市场试运而且提出了一种可行的途径（引入铁电材料作为辅助层），市场试运来实现二维铁磁体的非易失性电控制。

数据写入取决于铁电Sc2CO2，结算数据读取是基于铁磁CrI3与铁电Sc2CO2的极化态P↓（a）和P↑（b）之间的耦合所引起的不同电信号或光信号。这不仅导致能量的过度消耗，日南而且还阻碍了vdW铁磁体在非易失性磁电纳米器件中的应用。

然而，广东现行方法具有易失性，即需要持久的施加电控制，否则由电控制诱导的状态很难维系。

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